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国创科申请涉及像素坑的打印规划方法及喷墨打印机专利提升规划效率

发布时间:2026-04-25 14:49:49  点击量:

  

国创科申请涉及像素坑的打印规划方法及喷墨打印机专利提升规划效率(图1)

  国家知识产权局信息显示,武汉国创科光电装备有限公司申请一项名为“一种涉及像素坑的打印规划方法及喷墨打印机”的专利,公开号CN121848838A,申请日期为2026年1月。

  专利摘要显示,本申请涉及显示屏的喷墨打印技术领域,具体为一种涉及像素坑的打印规划方法及喷墨打印机,包括:间隔预设时间,获取第一喷孔的坐标;第一喷孔的坐标为第一子像素坑中墨滴落点范围内的墨滴落点对应的任意一个喷孔坐标;基板分为多个打印行程,第一行程为任意一个打印行程,第一子像素坑为第一打印行程中任意一个子像素坑;若第一喷孔的Y轴坐标不在第一子像素坑的墨滴落点范围内,则确定第二喷孔,以第二喷孔取代第一喷孔后,生成第一打印文件,以完成第一打印行程的落点规划;第二喷孔的Y轴坐标在第一子像素坑的墨滴落点范围内。本申请通过仅对打印文件中喷孔坐标发生变化的喷孔进行更新,提升打印规划效率。

  天眼查资料显示,武汉国创科光电装备有限公司,成立于2020年,位于武汉市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本7588.8096万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉国创科光电装备有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目28次,财产线条,此外企业还拥有行政许可11个。

  声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

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